半導体

共焦点クロマティックセンサがウェーハの表面をスキャンし、ウェーハのたわみやゆがみを捉えます。confocalDT コントローラは測定レートが 70 kHz でありハイダイナミックな測定が行えるので、短いタクトタイムでのウェーハ検査が可能です。

ソーマークの自動検知と計測には、マイクロエプシロンの共焦点クロマティックセンサが使用されています。コントローラ内の高速表面補正機能が露光サイクルを制御し、反射特性が様々に異なる表面でも最高度の信号安定性を図ります。マイクロエプシロンの共焦点センサは大きな角度で傾斜させることができ、光点も小さいため、ウェーハのソーマークやその他のぎざぎざを確実に捉えることができます。

マイクロエプシロンの共焦点クロマティック変位センサは、隆起の点検に使用されています。センサがウェーハ上に小さな集光点を生成し、その高い分解能により極小の構造も確実に捉えるので、接続箇所となる隆起部分の形状や寸法も正確に検出することができます。

共焦点クロマティックセンサは片面からのレイヤーの厚さ測定に使用され、その測定原理により複数の信号ピークの評価が可能なので、透明な物質の厚さも検知することができます。confocalDT コントローラはマルチピーク測定が行えるため、保護コーティングや塗料のレイヤーも確実に検知します。

共焦点クロマティックセンサは、ウェーハの厚さや厚さの偏差（Total Thickness Variation）を測定します。ウェーハの厚さプロファイルをもとにウェーハのたわみや歪みも検知でき、測定レートが高いので短いタクトタイムで全ウェーハの厚さ測定を行うことができます。

マイクロエプシロンによる共焦点クロマティックセンサは、ウェーハ上でのひびやその他の欠陥を検出するのに使用されており、コントローラ内の高速表面補正機能により反射特性が様々に異なる表面でも確かな測定が可能です。集光点が極めて小さく分解能も高いので、ウェーハ上の微細な欠陥も確実に捉えることができます。

非接触式インダクティブ変位センサ（渦電流）は、最大限の画像正確性を実現するためレンズ素子の位置を測定します。レンズシステムの構造に応じて変位センサが最大6段階の自由度で変位や位置を検知し、さらに eddyNCDT センサの高い応答周波数により、レンズシステムのハイダイナミックな動きもモニタリングすることができます。

マイクロエプシロンの非接触式センサは、ウェーハステージの位置をモニタリングするために使用され、極めて高い加速を行うステージでもハイダイナミックな XYZ 軸動作を測定します。静電容量センサやインダクティブ（渦電流）センサはナノメートルレベルでの分解能を実現しており、露光するウェーハをナノメートルまで精確にポジショニングする手助けをします。革新的な技術が採用されているので真空内でも使用でき、強い磁界からも影響を受けません。

ウェーハ上でコンポーネントの1つ1つを露光するには、リソグラフィー機械がウェーハをそれぞれの位置にずらしていかなければなりません。ナノメーター精度のポジショニングを可能にするため、静電容量変位センサが変位を測定します。

リソグラフィープロセスでは、最大限の精度を発揮するために機械の動きを高い分解能で長期間に渡り安定して測定する必要があります。マイクロエプシロンによる静電容量センサの分解能は非常に高く、マスクをナノメートルまで精確にポジショニングすることができます。真空にも適した仕様のセンサやセンサケーブルは、超高真空でも使用が可能です。

ウェーハの厚さを精確に測定するには、静電容量変位センサが使用されます。2つの向かい合うセンサが厚さを検知するだけでなく、ゆがみや製材時の刻み目といったパラメータも割り出し、その際測定ギャップ内でのウェーハの位置に変化があっても測定精度に影響はありません。