半導体

半導体産業での測定タスクは最高精度の正確性と再現性を要求します。マイクロエプシロンは機械の精確なポジショニングからウェーハの検査に至るまで、数多くのアプリケーションにとって正解と呼ぶべきソリューションを提供しています。

レンズキャリアの傾き点検

静電容量変位センサがレンズキャリアの傾きをナノメートルの精度で測定します。卓越した測定精度で再現性の高いプロジェクションが可能となっており、複数のセンサが金属製キャリア上で測定を実施します。解像度が非常に優れているので、正確なウェハ露光が行えます。

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共焦点クロマティックセンサを用いたレンズのアライメントのモニタリング

共焦点クロマティックセンサは光学系のアライメント測定に使用されます。複数のセンサが光学系上で直接測定し、ナノメートルの精度で傾きを捉えます。電磁式センサとは異なり、共焦点クロマティックセンサはガラス表面でも確実に測定することができ、高い測定レートによりレンズの動きの動的変化も確実に検出することが可能です。

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静電容量式センサを用いたウェーハステージのポジショニング

"ウェーハステージでの微細なポジショニングには静電容量式変位センサが使用されています。センサが様々な箇所でステージの位置を測定するので、微調整を行う際には特に役立ちます。三軸設計により電磁界の影響を受けにくく、ナノメートル領域の分解能を実現してるだけでなく、極めて高い長期安定性を実現しています。非接触式センサは真空領域用に設計されているので、超高真空領域でも使用が可能です。"

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ウェーハの傾き測定

ウェーハのハンドリングにおいて、ウェーハの位置が正確であるかどうかは決定的な影響を与えます。白色光干渉計がウェーハの供給時にウェーハの水平方向の傾き測定を行い、その際ウェーハ上で2つの干渉計が測定を実施します。マイクロエプシロンの白色光干渉計ならサブナノメートルの分解能により絶対距離値が測定できるので、ウェーハの搬出入時における位置精度を最大限に保証することができます。

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ウェーハ取り扱い時でのポジショニング

ウェーハの取り扱い時では、正確かつ再現性のあるポジショニングが極めて重要です。ウェーハを送り込む時に2つのoptoCONTROLレーザマイクロメータが直径を点検し、水平位置を決定します。高い測定レートと卓越した測定精度により、マイクロメータが位置に関する信頼性の高い情報を提供します。互いに相対する2つのマイクロメータの位置に応じて、異なるウェハ径を検出することが可能です。

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波面センサを用いた光学システムのモニタリング

Optocraft社のシャックハルトマン波面センサは光学システム全体のアライメント状態と画質を測定します。堅固な測定原理により、機械の統合や自動化された測定シーケンスのほか、レーザービーム解析や機械内のレーザービームのモニタリングが可能です。

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シリコン製インゴットの寸法検査

シリコン製インゴットの形状検査にマイクロエプシロン社のレーザープロファイルスキャナが使用されています。このスキャナはシリコンロッドの形状全体を把握するので、シリコンブロックの幾何学的な偏差を分離前に検出することができます。インゴットには位置合わせに必要なオリエンテーションノッチが備わっていることがが多く、このノッチのプロファイルの寸法精度の点検にはマイクロエプシロン社のブルーレーザースキャナーが使用されており、ノッチプロファイルを高い精度で捉えます。

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シリコン製インゴットのオリエンテーションノッチの点検

インゴットには位置合わせに必要なオリエンテーションノッチが備わっていることがが多くあります。このノッチのプロファイルの寸法精度の点検にはマイクロエプシロンのブルーレーザースキャナーが使用されており、ノッチプロファイルを高い精度で捉えます。スキャナがインゴット上で誘導され測定を行い、高精度でプロファイルデータを検出します。革新的なブルーレーザー技術により、高い信号安定性で測定値を記録することができます。

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ワイヤーソーのたわみのモニタリング

ワイヤーソーはインゴットを一度に切断するために使用されます。ワイヤーは摩耗が激しいため、複数の箇所で非接触渦電流センサを用いてワイヤーソーのワイヤーベッドをモニタリングします。これらのセンサはガイドローラ上のワイヤ高さ検出と、ワイヤのたわみ検出を同時に行うので、ワイヤの摩耗を迅速かつ高精度で捉えることができます。堅牢な測定原理により、ダストや汚れの影響を受けにくく、高分解能の測定結果が得られます。

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ホールソー軸方向の動きのモニタリング

ホールソーはシリコンインゴットの切断に使用されます。インゴットの確実な分離を行うために鋸刃またはホルダーを渦電流センサーでモニタリングし、4つのセンサが鋸の支持部までの距離を非接触で測定します。このセンサは周波数特性が高いだけでなく埃や汚れの影響も受けにくく、鋸刃の軸方向の偏差を正確に捉えるので、シリコンウェーハの均一で均等なカットが可能になります。

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シリコンウェーハの高精度厚さ測定

ウェーハの厚さを精確に測定するには、静電容量変位センサが使用されます。2つの向かい合うセンサが厚さを検知するだけでなく、ゆがみや製材時の刻み目といったパラメータも割り出し、その際測定ギャップ内でのウェーハの位置に変化があっても測定精度に影響はありません。

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シリコンウェーハ上の隆起の検知と計測

マイクロエプシロンの共焦点クロマティック変位センサは、隆起の点検に使用されています。センサがウェーハ上に小さな集光点を生成し、その高い分解能により極小の構造も確実に捉えるので、接続箇所となる隆起部分の形状や寸法も正確に検出することができます。

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ウェーハのたわみ

共焦点クロマティックセンサがウェーハの表面をスキャンし、ウェーハのたわみやゆがみを捉えます。confocalDT コントローラは測定レートが 70 kHz でありハイダイナミックな測定が行えるので、短いタクトタイムでのウェーハ検査が可能です。

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ソーマークの検知と測定

ソーマークの自動検知と計測には、マイクロエプシロンの共焦点クロマティックセンサが使用されています。コントローラ内の高速表面補正機能が露光サイクルを制御し、反射特性が様々に異なる表面でも最高度の信号安定性を図ります。マイクロエプシロンの共焦点センサは大きな角度で傾斜させることができ、光点も小さいため、ウェーハのソーマークやその他のぎざぎざを確実に捉えることができます。

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ひびや破損の検査

マイクロエプシロンによる共焦点クロマティックセンサは、ウェーハ上でのひびやその他の欠陥を検出するのに使用されており、コントローラ内の高速表面補正機能により反射特性が様々に異なる表面でも確かな測定が可能です。集光点が極めて小さく分解能も高いので、ウェーハ上の微細な欠陥も確実に捉えることができます。

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透明なレイヤーや接着剤ビードの測定

共焦点クロマティックセンサは片面からのレイヤーの厚さ測定に使用され、その測定原理により複数の信号ピークの評価が可能なので、透明な物質の厚さも検知することができます。confocalDT ...

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ウェーハの厚さ測定/TTV(Total Thickness Variation)

共焦点クロマティックセンサは、ウェーハの厚さや厚さの偏差(Total Thickness Variation)を測定します。ウェーハの厚さプロファイルをもとにウェーハのたわみや歪みも検知でき、測定レートが高いので短いタクトタイムで全ウェーハの厚さ測定を行うことができます。

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リソグラフィー機械でのレンズシステムのポジショニング

非接触式インダクティブ変位センサ(渦電流)は、最大限の画像正確性を実現するためレンズ素子の位置を測定します。レンズシステムの構造に応じて変位センサが最大6段階の自由度で変位や位置を検知し、さらに ...

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ウェーハステージのポジショニング

マイクロエプシロンの非接触式センサは、ウェーハステージの位置をモニタリングするために使用され、極めて高い加速を行うステージでもハイダイナミックな ...

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白色光干渉計によるウェーハステージのポジショニング

マイクロエプシロンによるinterferoMETER IMS5600シリーズの白色光干渉計は、ウェーハステージの位置の監視に使用され、極めて早い加速を行うステージあってもXYZ ...

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リソグラフィー機械におけるナノメーター精度のポジショニング

ウェーハ上でコンポーネントの1つ1つを露光するには、リソグラフィー機械がウェーハをそれぞれの位置にずらしていかなければなりません。ナノメーター精度のポジショニングを可能にするため、静電容量変位センサが変位を測定します。

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リソグラフィーにおけるマスクのポジショニング

リソグラフィープロセスでは、最大限の精度を発揮するために機械の動きを高い分解能で長期間に渡り安定して測定する必要があります。マイクロエプシロンによる静電容量センサの分解能は非常に高く、マスクをナノメートルまで精確にポジショニングすることができます。真空にも適した仕様のセンサやセンサケーブルは、超高真空でも使用が可能です。

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リソグラフィーでのマスクポジショニング用 白色光干渉計

リソグラフィープロセスでは、最大限の精度を発揮するために機械の動きを高い分解能で長期間に渡り安定して測定する必要があります。マイクロエプシロンの白色光干渉計IMS5400は、特殊な評価アルゴリズムとアクティブ温度補正により、マスクをナノメートルの精度でポジショニングすることができます。真空対応のセンサー、ケーブル、ケーブルブッシュが備わっているので真空環境での使用が可能です。

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Micro-Epsilon Japan K.K.
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